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  • 型号: IPD110N12N3 G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPD110N12N3 G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD110N12N3 G价格参考¥5.06-¥5.46。InfineonIPD110N12N3 G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPD110N12N3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPD110N12N3 G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3MOSFET N-KANAL POWER MOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

75 A

Id-连续漏极电流

75 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPD_S110N12N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD110N12N3 GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPD_S110N12N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d

产品型号

IPD110N12N3 G

Pd-PowerDissipation

136 W

Pd-功率耗散

136 W

Qg-GateCharge

49 nC

Qg-栅极电荷

49 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

11 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

11 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

120 V

Vds-漏源极击穿电压

120 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

16 ns

下降时间

8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 83µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4310pF @ 60V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

65nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

11 毫欧 @ 75A,10V

产品种类

MOSFETs

供应商器件封装

PG-TO252-3

其它名称

IPD110N12N3 GCT

典型关闭延迟时间

24 ns

功率-最大值

136W

包装

剪切带 (CT)

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

TO-252-3

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

83 S, 42 S

漏源极电压(Vdss)

120V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tc)

系列

IPD110N12

配置

Single

零件号别名

IPD110N12N3GBUMA1 SP000674466

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